Ludovic Desplanque

maître de conférences-HDR - Electronique, physique, informatique industrielle
CNU : SECTION 63 - ELECTRONIQUE, OPTRONIQUE ET SYSTEMES
    IEMN: 03 20 19 79 88
IEMN LCI Bureau 102
ludovic_desplanque.jpg

Ludovic Desplanque

maître de conférences-HDR - Electronique, physique, informatique industrielle

Responsabilités

Recherche

- Implication dans des projets scientifiques:

Acronyme du contrat

Type d’appel

Coordinateur

Durée

Partenaires

Objectifs & Implication

DIRAC35

ANR PRC 2016

C.Delerue (IEMN)

 

Institut Néel, IEMN, LPCMO

Implication : Responsable de la tâche « nanofabrication »

SAMBA

ANR JCJC 2012

L.Desplanque (IEMN)

Fév. 2013 à janv. 2017

IEMN

Croissance épitaxiale localisée d’hétérostructures antimoniées pour la réalisation d’un inverseur à base de transistors à effet tunnel complémentaires

Implication : Coordinateur, croissance des hétérostructures pour TFET et étude de  la croissance sélective d’antimoniures

TOPONANO

ANR OH Risque 2015

S.De Francesci (CEA INAC)

Janv. 2016 à déc. 2019

CEA INAC, IEMN, CEA LETI, Univ. Pittsburgh

Etude des états hélicoïdaux et fermions de Majorana dans des nanostructures topologiques

Implication : épitaxie des hétérostructures à canal InAs/GaSb, technologie des dispositifs de Hall à double grille

TENOR

ANR JCJC 2013

M. Vanvollegem (IEMN)

 

Oct. 2014 à avril 2019

IEMN

Composants Non-réciproques compétitifs pour les fréquences Terahertz et moyen Infrarouge

Implication : Epitaxie de sémiconducteurs à faible gap et haute mobilité électronique

MOSINAS

ANR P3N 2013

S.Bollaert (IEMN)

Janv. 2014 à déc. 2017

IEMN, CEA LETI, LTM, IMEP, IEF

MOSFET à hétérostructure et film ultra mince d’InAs sur substrat silicium

Implication : Epitaxie d’hétérostructures III-V pour transistor MOS, étude de la croissance sélective d’InGaAs et d’InAs

MILLIPRISM

ANR CSOSG 2013

J.-F.Lampin (IEMN)

Déc. 2013 à mai 2017

IEMN, MC2 Technologies

Système d’imagerie radiométrique passif

Implication : Epitaxie localisée d’hétérostructures III-V à base d’antimoine pour la réalisation de diodes à effet tunnel

COMPOSE3

FP7-ICT-2013-11

J.Fompeyrine (IBM Zurich)

Nov. 2013 à oct. 2016

IBM, Univ. Glasgow, Tyndall UCC, DTF, IMDEA, LTM, IEMN

Co-intégration 3D de composés semiconducteurs

Implication : Epitaxie d’hétérostructures III-V fortement désadaptées en maille

LOWIQ

ANR VERSO 2010

S.Bollaert (IEMN)

 

IEMN, Thalès, Calisto, OMMIC

Réalisation de MMIC ultra-faible consommation à température ambiant et cryogénique pour les télécommunications spatiales en bande Q

Implication : Responsable de la tâche  « croissance des matériaux »

SMIC

ANR ASTRID 2011

Y.Roellens (IEMN)

 

IEMN

Fabrication de switchs pour des applications cryogéniques en gamme millimétrique

Implication : Responsable de la tâche  « croissance des matériaux »

MOS35

ANR PNANO 2008

S.Bollaert (IEMN)

 

IEMN, CEA LETI, IEF, CIMAP

Etude et la réalisation de transistors de type Mosfet à base de matériaux III-V pour des applications ultra-rapides et ultra-faible consommation

Implication : Epitaxie d’hétérostructures III-V pour transistor MOS et développement de la filière InAs sur GaAs et GaP

 

- Direction ou co-direction de 2 stages de master, 4 thèses de doctorat et 2 post-doctorats

 

- Jurys de thèse: Rapporteur de 3 thèses, examinateur de 2 thèses

 

- Membre du conseil scientifique du GDR CNRS PULSE (processus ultime en épitaxie de semiconducteurs)

https://www.im2np.fr/GDR_CNRS_Pulse/

 

- Membre élu au conseil de laboratoire de l'IEMN de 2010 à 2014

 

- Responsable du groupe de recherche EPIPHY (épitaxie et physique des hétérostructures) de l'IEMN depuis janvier 2020

 

 

Enseignement

- Membre du réseau des référents Parcours Professionnel auprès du collège doctoral depuis 2019

 

- Membre du vivier des Maîtres de Conférences pour les Comités de Sélection à l’Université de Lille