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Responsabilités

Recherche

- Responsable du département Matriaux, Nanostructures et Composants de l'IEMN depuis janvier 2023

- Responsable du groupe de recherche EPIPHY (épitaxie et physique des hétérostructures) de l'IEMN depuis janvier 2020

- Direction ou co-direction de 2 stages de master, 6 thèses de doctorat (dont 2 en cours) et 2 post-doctorats

- Jurys de thèse: Rapporteur de 6 thèses, examinateur de 2 thèses

- Membre du conseil scientifique restreient du GdR MATEPI

- Membre élu au conseil de laboratoire de l'IEMN de 2010 à 2014

- Implication dans des projets scientifiques:

Acronyme du contrat

Type d’appel

Coordinateur

Durée

Partenaires

Objectifs & Implication

TUNN2D

ANR PRC 2021

X.Wallart (IEMN)

Janv. 2022 à déc. 2025

IEMN, C2N, CINTRA, CP2M

Scalable Tunneling Diodes based on 2D materials

 

INSPIRING

ANR PRC 2021

L.Desplanque (IEMN)

Janv. 2022 à Juin 2025

IEMN, LETI, NEEL

In-plane core-shell nanowires with strong spin-orbit coupling for scalable mesoscopic devices

 Implication : Coordinateur, croissance épitaxiale, nanofabrication, caractérisations matériaux et composants

BIRD

ANR PRC 2021

S.Barbieri (IEMN)

Mars 2022 à Sept. 2025

IEMN, C2N, LPL

Modulateurs infra-rouge large bande à semiconducteurs

 

DIRAC35

ANR PRC 2016

C.Delerue (IEMN)

 

Institut Néel, IEMN, LPCMO

Implication : Responsable de la tâche « nanofabrication »

SAMBA

ANR JCJC 2012

L.Desplanque (IEMN)

Fév. 2013 à janv. 2017

IEMN

Croissance épitaxiale localisée d’hétérostructures antimoniées pour la réalisation d’un inverseur à base de transistors à effet tunnel complémentaires

Implication : Coordinateur, croissance des hétérostructures pour TFET et étude de  la croissance sélective d’antimoniures

TOPONANO

ANR OH Risque 2015

S.De Francesci (CEA INAC)

Janv. 2016 à déc. 2019

CEA INAC, IEMN, CEA LETI, Univ. Pittsburgh

Etude des états hélicoïdaux et fermions de Majorana dans des nanostructures topologiques

Implication : épitaxie des hétérostructures à canal InAs/GaSb, technologie des dispositifs de Hall à double grille

TENOR

ANR JCJC 2013

M. Vanvollegem (IEMN)

 

Oct. 2014 à avril 2019

IEMN

Composants Non-réciproques compétitifs pour les fréquences Terahertz et moyen Infrarouge

Implication : Epitaxie de sémiconducteurs à faible gap et haute mobilité électronique

MOSINAS

ANR P3N 2013

S.Bollaert (IEMN)

Janv. 2014 à déc. 2017

IEMN, CEA LETI, LTM, IMEP, IEF

MOSFET à hétérostructure et film ultra mince d’InAs sur substrat silicium

Implication : Epitaxie d’hétérostructures III-V pour transistor MOS, étude de la croissance sélective d’InGaAs et d’InAs

MILLIPRISM

ANR CSOSG 2013

J.-F.Lampin (IEMN)

Déc. 2013 à mai 2017

IEMN, MC2 Technologies

Système d’imagerie radiométrique passif

Implication : Epitaxie localisée d’hétérostructures III-V à base d’antimoine pour la réalisation de diodes à effet tunnel

COMPOSE3

FP7-ICT-2013-11

J.Fompeyrine (IBM Zurich)

Nov. 2013 à oct. 2016

IBM, Univ. Glasgow, Tyndall UCC, DTF, IMDEA, LTM, IEMN

Co-intégration 3D de composés semiconducteurs

Implication : Epitaxie d’hétérostructures III-V fortement désadaptées en maille

Enseignement

- Directeur des études du Parcours Electronique et Systèmes Embarqués en BUT GEII 2ème et 3ème année depuis 2022

- Membre du réseau des référents Parcours Professionnel auprès du collège doctoral depuis 2019

- Membre du vivier des Maîtres de Conférences pour les Comités de Sélection à l’Université de Lille