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Axes de recherche

Croissance et caractérisations de semiconducteurs pour l'électronique

2005-: Epitaxie par jets moléculaires (EJM) d'hétérostructures à canal InAs pour l'électronique haute fréquence et faible consommation

2008- : Croissance d'hétérostructures à haute mobilité électronique à canal InGaSb

2008- : Etude de la relaxation de contrainte par réseau de dislocations d'interface dans les systèmes de semiconducteurs III-V fortement désadaptés en maille

2012-2017: Transistors à effet tunnel à base d'antimoine

2012-: Croissance EJM sélective de nanostructures de semiconducteurs III-V à faible masse effective (InGaAs, InAs, InSb...) pour l'électronique et les technologies quantiques.

Caractérisation de composants THz par échantillonnage électro-optique (2000-2005)

1999-2003: Génération et détection d'impulsions électriques sub-picosecondes par échantillonnage électro-optique

2000-2003: Echantillonnage d'électro-absorption par Effet Franz-Keldysh

2000-2005: Technologie et caractérisation électro-optique de composants THz